IPP037N06L3GXKSA1
IPP037N06L3GXKSA1
Osa numero:
IPP037N06L3GXKSA1
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12282 Pieces
Tietolomake:
IPP037N06L3GXKSA1.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IPP037N06L3GXKSA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPP037N06L3GXKSA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IPP037N06L3GXKSA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.2V @ 93µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TO-220-3
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:3.7 mOhm @ 90A, 10V
Tehonkulutus (Max):167W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-220-3
Muut nimet:IPP037N06L3 G
IPP037N06L3 G-ND
IPP037N06L3G
SP000680774
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:14 Weeks
Valmistajan osanumero:IPP037N06L3GXKSA1
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:13000pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:79nC @ 4.5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 60V 90A (Tc) 167W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Valua lähde jännite (Vdss):60V
Kuvaus:MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:90A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit