Ostaa IPP048N04NGXKSA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 200µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | PG-TO-220-3 |
Sarja: | OptiMOS™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 4.8 mOhm @ 70A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 79W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-220-3 |
Muut nimet: | IPP048N04N G IPP048N04N G-ND IPP048N04NG SP000648308 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 14 Weeks |
Valmistajan osanumero: | IPP048N04NGXKSA1 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 3300pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 41nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 40V 70A (Tc) 79W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
Valua lähde jännite (Vdss): | 40V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 70A (Tc) |
Email: | [email protected] |