Ostaa IPP052N06L3GXKSA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IPP052N06L3GXKSA1
- Osa numero:
- IPP052N06L3GXKSA1
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 16119 Pieces
- Tietolomake:
- IPP052N06L3GXKSA1.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IPP052N06L3GXKSA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPP052N06L3GXKSA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 58µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PG-TO-220-3 |
| Sarja: | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 5 mOhm @ 80A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 115W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-220-3 |
| Muut nimet: | IPP052N06L3 G IPP052N06L3 G-ND SP000680802 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 14 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IPP052N06L3GXKSA1 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 8400pF @ 30V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 50nC @ 4.5V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 60V 80A (Tc) 115W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 60V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IPP052N06L3GXKSA1
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IPP052N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO220-3 | tiedustelu |
|
IPP05N03LB G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A TO-220 | tiedustelu |
|
IPP052N06L3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 | tiedustelu |
|
IPP052NE7N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3 | tiedustelu |
|
IPP057N08N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3 | tiedustelu |
|
IPP054NE8NGHKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 85V 100A TO-220 | tiedustelu |
|
IPP05CN10L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 | tiedustelu |
|
IPP055N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3 | tiedustelu |
|
IPP050N06N G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO-220 | tiedustelu |
|
IPP052NE7N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3 | tiedustelu |
|
IPP05N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 80A TO-220AB | tiedustelu |
|
IPP05CN10NGXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO-220 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog