IPP100N08N3GXKSA1
IPP100N08N3GXKSA1
Osa numero:
IPP100N08N3GXKSA1
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17563 Pieces
Tietolomake:
IPP100N08N3GXKSA1.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IPP100N08N3GXKSA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPP100N08N3GXKSA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IPP100N08N3GXKSA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 46µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TO-220-3
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:10 mOhm @ 46A, 10V
Tehonkulutus (Max):100W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-220-3
Muut nimet:IPP100N08N3 G
IPP100N08N3 G-ND
IPP100N08N3G
SP000680856
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:14 Weeks
Valmistajan osanumero:IPP100N08N3GXKSA1
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:2410pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 80V 70A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Valua lähde jännite (Vdss):80V
Kuvaus:MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:70A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit