Ostaa IPP65R190E6XKSA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IPP65R190E6XKSA1
- Osa numero:
- IPP65R190E6XKSA1
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 13013 Pieces
- Tietolomake:
- IPP65R190E6XKSA1.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IPP65R190E6XKSA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPP65R190E6XKSA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 730µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PG-TO-220-3 |
| Sarja: | CoolMOS™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 190 mOhm @ 7.3A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 151W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-220-3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 12 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IPP65R190E6XKSA1 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1620pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 73nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 650V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 650V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 20.2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IPP65R190E6XKSA1
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IPP65R190CFDAAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-220-3 | tiedustelu |
|
IPP65R225C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220-3 | tiedustelu |
|
IPP65R125C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 18A TO220 | tiedustelu |
|
IPP65R190C7FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 13A TO220 | tiedustelu |
|
IPP65R190CFDXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220 | tiedustelu |
|
IPP65R280C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220 | tiedustelu |
|
IPP65R150CFDAAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-220-3 | tiedustelu |
|
IPP65R110CFDXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 31.2A TO220 | tiedustelu |
|
IPP65R190C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 | tiedustelu |
|
IPP65R110CFDAAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-220-3 | tiedustelu |
|
IPP65R150CFDXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220 | tiedustelu |
|
IPP65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-220-3 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog