Ostaa IPP80P04P4L08AKSA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 120µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | PG-TO220-3-1 |
Sarja: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 8.2 mOhm @ 80A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 75W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-220-3 |
Muut nimet: | SP000840212 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 14 Weeks |
Valmistajan osanumero: | IPP80P04P4L08AKSA1 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 5430pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 92nC @ 10V |
FET tyyppi: | P-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | P-Channel 40V 80A (Tc) 75W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
Valua lähde jännite (Vdss): | 40V |
Kuvaus: | MOSFET P-CH TO220-3 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
Email: | [email protected] |