Ostaa IPS050N03LGBKMA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | PG-TO251-3 |
Sarja: | OptiMOS™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 5 mOhm @ 30A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 68W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Muut nimet: | SP000264170 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | IPS050N03LGBKMA1 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 3200pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 31nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 30V 50A (Tc) 68W (Tc) Through Hole PG-TO251-3 |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
Kuvaus: | MOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO251-3 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
Email: | [email protected] |