IPS050N03LGBKMA1
Osa numero:
IPS050N03LGBKMA1
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO251-3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19161 Pieces
Tietolomake:
IPS050N03LGBKMA1.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IPS050N03LGBKMA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPS050N03LGBKMA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IPS050N03LGBKMA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TO251-3
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:5 mOhm @ 30A, 10V
Tehonkulutus (Max):68W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-251-3 Stub Leads, IPak
Muut nimet:SP000264170
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IPS050N03LGBKMA1
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:3200pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:31nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 50A (Tc) 68W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO251-3
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit