IPS65R1K5CEAKMA1
IPS65R1K5CEAKMA1
Osa numero:
IPS65R1K5CEAKMA1
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V TO-251-3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17143 Pieces
Tietolomake:
IPS65R1K5CEAKMA1.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IPS65R1K5CEAKMA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPS65R1K5CEAKMA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IPS65R1K5CEAKMA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 100µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-251
Sarja:CoolMOS™ CE
RDS (Max) @ Id, Vgs:1.5 Ohm @ 1A, 10V
Tehonkulutus (Max):28W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-251-3 Stub Leads, IPak
Muut nimet:SP001276050
Käyttölämpötila:-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:6 Weeks
Valmistajan osanumero:IPS65R1K5CEAKMA1
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:225pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:10.5nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 650V 3.1A (Tc) 28W (Tc) Through Hole TO-251
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):650V
Kuvaus:MOSFET N-CH 650V TO-251-3
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:3.1A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit