IPSH5N03LA G
IPSH5N03LA G
Osa numero:
IPSH5N03LA G
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15264 Pieces
Tietolomake:
IPSH5N03LA G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IPSH5N03LA G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPSH5N03LA G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IPSH5N03LA G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 35µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TO251-3
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:5.4 mOhm @ 50A, 10V
Tehonkulutus (Max):83W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-251-3 Stub Leads, IPak
Muut nimet:IPSH5N03LAGX
SP000064378
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):3 (168 Hours)
Valmistajan osanumero:IPSH5N03LA G
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:2653pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 25V 50A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Valua lähde jännite (Vdss):25V
Kuvaus:MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit