IPU105N03L G
IPU105N03L G
Osa numero:
IPU105N03L G
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 35A IPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18109 Pieces
Tietolomake:
IPU105N03L G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IPU105N03L G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPU105N03L G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IPU105N03L G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TO251-3
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:10.5 mOhm @ 30A, 10V
Tehonkulutus (Max):38W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Muut nimet:IPU105N03LGIN
IPU105N03LGXK
SP000271466
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IPU105N03L G
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1500pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:14nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 35A (Tc) 38W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N-CH 30V 35A IPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:35A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit