Ostaa IPU60R1K4C6BKMA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IPU60R1K4C6BKMA1
- Osa numero:
- IPU60R1K4C6BKMA1
- Kuvaus:
- MOSFET NCH 600V 3.2A TO251
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Ei sovelleta / Ei sovelleta
- Saatavana oleva määrä:
- 17662 Pieces
- Tietolomake:
- IPU60R1K4C6BKMA1.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IPU60R1K4C6BKMA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPU60R1K4C6BKMA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 90µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PG-TO251 |
| Sarja: | CoolMOS™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 1.4 Ohm @ 1.1A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 28.4W (Tc) |
| Pakkaus: | Bulk |
| Pakkaus / Case: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 155°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Valmistajan osanumero: | IPU60R1K4C6BKMA1 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 200pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 9.4nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | Super Junction |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 600V 3.2A (Tc) 28.4W (Tc) Through Hole PG-TO251 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 600V |
| Kuvaus: | MOSFET NCH 600V 3.2A TO251 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 3.2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IPU60R1K4C6BKMA1
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IPU60R2K1CEBKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO-251-3 | tiedustelu |
|
IPU60R1K0CEBKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO-251-3 | tiedustelu |
|
IPU60R1K5CEAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO-251-3 | tiedustelu |
|
IPU60R1K0CEAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO-251-3 | tiedustelu |
|
IPU60R1K4C6AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO-251-3 | tiedustelu |
|
IPU60R1K0CEAKMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4.3A TO-251-3 | tiedustelu |
|
IPU60R600C6AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO251 | tiedustelu |
|
IPU60R1K5CEAKMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 3.1A TO-251-3 | tiedustelu |
|
IPU60R950C6AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4.4A TO251 | tiedustelu |
|
IPU60R2K0C6BKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-251 | tiedustelu |
|
IPU60R1K5CEBKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO-251-3 | tiedustelu |
|
IPU60R600C6BKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-251 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog