IPW60R190C6
IPW60R190C6
Osa numero:
IPW60R190C6
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19829 Pieces
Tietolomake:
IPW60R190C6.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IPW60R190C6, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPW60R190C6 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IPW60R190C6 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 630µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TO247-3
Sarja:CoolMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:190 mOhm @ 9.5A, 10V
Tehonkulutus (Max):151W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-247-3
Muut nimet:IPW60R190C6FKSA1
SP000621160
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:12 Weeks
Valmistajan osanumero:IPW60R190C6
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1400pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:63nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 600V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):600V
Kuvaus:MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:20.2A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit