Ostaa IPZ60R037P7XKSA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IPZ60R037P7XKSA1
- Osa numero:
- IPZ60R037P7XKSA1
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 15724 Pieces
- Tietolomake:
- IPZ60R037P7XKSA1.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IPZ60R037P7XKSA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPZ60R037P7XKSA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1.48mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PG-TO247-4 |
| Sarja: | CoolMOS™ P7 |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 37 mOhm @ 29.5A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 255W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-247-4 |
| Muut nimet: | SP001606064 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 12 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IPZ60R037P7XKSA1 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 5243pF @ 400V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 121nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 650V 76A (Tc) 255W (Tc) Through Hole PG-TO247-4 |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 650V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 76A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IPZ60R037P7XKSA1
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IPZ60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4 | tiedustelu |
|
IPZ60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4 | tiedustelu |
 |
IPZ60R017C7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | tiedustelu |
|
IPZ60R041P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO247-4 | tiedustelu |
 |
IRLZ44ZSPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK | tiedustelu |
|
IPZ60R099P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO247-4 | tiedustelu |
 |
DMG2301L-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 | tiedustelu |
 |
BUK78150-55A,135 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223 | tiedustelu |
|
IPZ60R070P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO247-4 | tiedustelu |
 |
IXFJ20N85X | IXYS | MOSFET N-CH 850V 9.5A TO247-3 | tiedustelu |
|
IPZ60R125P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO247-4 | tiedustelu |
 |
FDMS3500 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 75V 9.2A POWER56 | tiedustelu |
|
IPZ60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 35A TO247-4 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog