Ostaa IRD3CH101DB6 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IRD3CH101DB6
- Osa numero:
- IRD3CH101DB6
- Kuvaus:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 200A DIE
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 13497 Pieces
- Tietolomake:
- IRD3CH101DB6.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IRD3CH101DB6, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRD3CH101DB6 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos: | 2.7V @ 200A |
|---|---|
| Jännite - DC Reverse (Vr) (Max): | 1200V (1.2kV) |
| Toimittaja Device Package: | Die |
| Nopeus: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Sarja: | - |
| Käänteinen Recovery Time (TRR): | 360ns |
| Pakkaus: | Bulk |
| Pakkaus / Case: | Die |
| Muut nimet: | SP001535420 |
| Käyttölämpötila - liitäntä: | -40°C ~ 175°C |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IRD3CH101DB6 |
| Laajennettu kuvaus: | Diode Standard 1200V (1.2kV) 200A Surface Mount Die |
| diodi Tyyppi: | Standard |
| Kuvaus: | DIODE GEN PURP 1.2KV 200A DIE |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr: | 3.6µA @ 1200V |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io): | 200A |
| Kapasitanssi @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IRD3CH101DB6
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IRD3CH101DD6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | tiedustelu |
|
IRD3CH11DD6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | tiedustelu |
|
IRD3CH53DF6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | tiedustelu |
|
IRD3CH16DD6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | tiedustelu |
|
IRD3CH11DF6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | tiedustelu |
|
IRD3CH5DB6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 5A DIE | tiedustelu |
|
IRD3CH16DB6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | tiedustelu |
|
IRD3CH16DF6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | tiedustelu |
|
IRD3CH31DF6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | tiedustelu |
|
IRD3CH101DF6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | tiedustelu |
|
IRD3CH11DB6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DIE | tiedustelu |
|
IRD3CH24DF6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog