Suomi
English
Deutsch
Français
русский
español
Português
日本語
Italia
한국의
العربية
Türk dili
polski
Suomi
Indonesia
Tiếng Việt
ภาษาไทย
Nederland
Pilipino
Čeština
繁体中文
Magyarország
Kongeriket
Dansk
Svenska
✕
Meistä
|
Ota meihin yhteyttä
|
Pyydä tarjous
|
Koti
Tietoja Bychips: sta
Tuotteet
valmistajat
Tarjouspyyntö
Uutiset Lehdistö
Ota yhteyttä Bychips
Koti
>
Tuotteet
>
Discrete Semiconductor Products
>
Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset
>
IRD3CH31DB6
IRD3CH31DB6
Osa numero:
IRD3CH31DB6
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14336 Pieces
Tietolomake:
IRD3CH31DB6.pdf
tiedustelu
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä
IRD3CH31DB6, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma
IRD3CH31DB6 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa
IRD3CH31DB6 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
tekniset tiedot
Sarja:
*
Muut nimet:
SP001539694
Kosteuden herkkyys (MSL):
1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:
IRD3CH31DB6
Laajennettu kuvaus:
Diode
Kuvaus:
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
Email:
[email protected]
Nopea Request Quote
Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit
Aiheeseen liittyvät osat
IRD3CH31DB6
Kuva
Osa numero
valmistajat
Kuvaus
näkymä
IRD3CH31DF6
Infineon Technologies
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
tiedustelu
IRD3CH11DF6
Infineon Technologies
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
tiedustelu
IRD3CH24DB6
Infineon Technologies
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
tiedustelu
IRD3CH16DD6
Infineon Technologies
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
tiedustelu
IRD3CH31DD6
Infineon Technologies
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
tiedustelu
IRD3CH53DF6
Infineon Technologies
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
tiedustelu
IRD3CH11DD6
Infineon Technologies
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
tiedustelu
IRD3CH16DF6
Infineon Technologies
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
tiedustelu
IRD3CH9DB6
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 10A DIE
tiedustelu
IRD3CH5DB6
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 5A DIE
tiedustelu
IRD3CH53DB6
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DIE
tiedustelu
IRD3CH42DB6
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 75A DIE
tiedustelu
IRD3CH101DF6
Infineon Technologies
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
tiedustelu
IRD3CH24DF6
Infineon Technologies
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
tiedustelu
IRD3CH9DD6
Infineon Technologies
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
tiedustelu
IRD3CH101DD6
Infineon Technologies
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
tiedustelu
Latest News
Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
Janet Clark to join TI board of directors
TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
GCHQ Director calls for international cyber pact
Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
"Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog