IRF1018ESPBF
IRF1018ESPBF
Osa numero:
IRF1018ESPBF
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19182 Pieces
Tietolomake:
IRF1018ESPBF.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IRF1018ESPBF, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRF1018ESPBF sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IRF1018ESPBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 100µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:D2PAK
Sarja:HEXFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:8.4 mOhm @ 47A, 10V
Tehonkulutus (Max):110W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Muut nimet:SP001561450
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IRF1018ESPBF
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:2290pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:69nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 60V 79A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Valua lähde jännite (Vdss):60V
Kuvaus:MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:79A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit