Ostaa IRF1324S-7PPBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IRF1324S-7PPBF
- Osa numero:
- IRF1324S-7PPBF
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 24V 429A D2PAK-7
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 15926 Pieces
- Tietolomake:
- IRF1324S-7PPBF.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IRF1324S-7PPBF, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRF1324S-7PPBF sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | D2PAK (7-Lead) |
| Sarja: | HEXFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 1 mOhm @ 160A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 300W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| Muut nimet: | AUXECF1324S-7P AUXECF1324S-7P-ND IRF1324S7PPBF SP001571226 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IRF1324S-7PPBF |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 7700pF @ 19V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 252nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 24V 240A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead) |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 24V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 24V 429A D2PAK-7 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 240A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IRF1324S-7PPBF
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF1324LPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 24V 195A TO262 | tiedustelu |
 |
IRF1324SPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 24V 195A D2-PAK | tiedustelu |
 |
IRF135SA204 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 135V 160A | tiedustelu |
 |
IRF1324STRL-7PP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 24V 429A D2PAK-7 | tiedustelu |
|
IRF1310NSTRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK | tiedustelu |
|
IRF1310NSPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK | tiedustelu |
 |
IRF1312PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 95A TO-220AB | tiedustelu |
|
IRF1324STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK | tiedustelu |
|
IRF1324PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB | tiedustelu |
|
IRF1310NPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 42A TO-220AB | tiedustelu |
|
IRF135S203 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 135V 129A D2PAK | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog