Ostaa IRF1902TRPBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 700mV @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | 8-SO |
Sarja: | HEXFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 85 mOhm @ 4A, 4.5V |
Tehonkulutus (Max): | 2.5W (Ta) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Muut nimet: | IRF1902TRPBF-ND IRF1902TRPBFTR SP001564704 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | IRF1902TRPBF |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 310pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 7.5nC @ 4.5V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 20V 4.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
Valua lähde jännite (Vdss): | 20V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 20V 4.2A 8-SOIC |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 4.2A (Ta) |
Email: | [email protected] |