IRF1902TRPBF
IRF1902TRPBF
Osa numero:
IRF1902TRPBF
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 20V 4.2A 8-SOIC
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19255 Pieces
Tietolomake:
IRF1902TRPBF.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IRF1902TRPBF, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRF1902TRPBF sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IRF1902TRPBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:700mV @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:8-SO
Sarja:HEXFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:85 mOhm @ 4A, 4.5V
Tehonkulutus (Max):2.5W (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Muut nimet:IRF1902TRPBF-ND
IRF1902TRPBFTR
SP001564704
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IRF1902TRPBF
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:310pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:7.5nC @ 4.5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 20V 4.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Valua lähde jännite (Vdss):20V
Kuvaus:MOSFET N-CH 20V 4.2A 8-SOIC
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:4.2A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit