Ostaa IRF2805LPBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | TO-262 |
Sarja: | HEXFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 4.7 mOhm @ 104A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 200W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Muut nimet: | *IRF2805LPBF SP001571164 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | IRF2805LPBF |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 5110pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 230nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 55V 135A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262 |
Valua lähde jännite (Vdss): | 55V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 55V 135A TO-262 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 135A (Tc) |
Email: | [email protected] |