IRF3205STRR
IRF3205STRR
Osa numero:
IRF3205STRR
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15192 Pieces
Tietolomake:
IRF3205STRR.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IRF3205STRR, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRF3205STRR sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IRF3205STRR BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:D2PAK
Sarja:HEXFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:8 mOhm @ 62A, 10V
Tehonkulutus (Max):200W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IRF3205STRR
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:3247pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:146nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 55V 110A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Valua lähde jännite (Vdss):55V
Kuvaus:MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:110A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit