Ostaa IRF3415L BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IRF3415L
- Osa numero:
- IRF3415L
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 150V 43A TO-262
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 12361 Pieces
- Tietolomake:
- IRF3415L.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IRF3415L, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRF3415L sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-262 |
| Sarja: | HEXFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 42 mOhm @ 22A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Muut nimet: | *IRF3415L |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IRF3415L |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2400pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 200nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 150V 43A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-262 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 150V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 150V 43A TO-262 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 43A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IRF3415L
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF3415STRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK | tiedustelu |
|
IRF3415SPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK | tiedustelu |
|
IRF3415S | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK | tiedustelu |
|
IRF3415STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK | tiedustelu |
|
IRF3415STRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK | tiedustelu |
 |
IRF3415PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 43A TO-220AB | tiedustelu |
 |
NTD6416AN-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 17A IPAK | tiedustelu |
 |
IXTY2N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 2A TO-252AA | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers