IRF3415L
IRF3415L
Osa numero:
IRF3415L
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 150V 43A TO-262
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12361 Pieces
Tietolomake:
IRF3415L.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IRF3415L, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRF3415L sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IRF3415L BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-262
Sarja:HEXFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:42 mOhm @ 22A, 10V
Tehonkulutus (Max):3.8W (Ta), 200W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Muut nimet:*IRF3415L
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IRF3415L
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:2400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:200nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 150V 43A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-262
Valua lähde jännite (Vdss):150V
Kuvaus:MOSFET N-CH 150V 43A TO-262
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:43A (Tc)
Email:sales@bychips.com

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit
Loading...