Ostaa IRF3515STRR BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IRF3515STRR
- Osa numero:
- IRF3515STRR
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 15284 Pieces
- Tietolomake:
- IRF3515STRR.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IRF3515STRR, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRF3515STRR sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | D2PAK |
| Sarja: | HEXFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 45 mOhm @ 25A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 200W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IRF3515STRR |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2260pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 107nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 150V 41A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 150V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 41A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IRF3515STRR
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
PSMN0R9-30YLDX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A 56LFPAK | tiedustelu |
 |
PHB45NQ15T,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 150V 45.1A D2PAK | tiedustelu |
 |
IRF3515STRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK | tiedustelu |
 |
IRLU024ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 16A I-PAK | tiedustelu |
 |
IRF3515L | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 41A TO-262 | tiedustelu |
|
IRF3515STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK | tiedustelu |
 |
TP2635N3-G | Microchip Technology | MOSFET P-CH 350V 0.18A TO92-3 | tiedustelu |
|
IPI60R385CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 9A I2PAK | tiedustelu |
 |
IRF3575DTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 25V 303A PQFN | tiedustelu |
|
IRF3515S | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK | tiedustelu |
 |
IRF3546MTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 4N-CH 25V 16A/20A 41PQFN | tiedustelu |
 |
FQAF28N15 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 22A TO-3PF | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog