Ostaa IRF3704ZPBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.55V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | TO-220AB |
Sarja: | HEXFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 7.9 mOhm @ 21A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 57W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-220-3 |
Muut nimet: | *IRF3704ZPBF SP001561776 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | IRF3704ZPBF |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1220pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 13nC @ 4.5V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 20V 67A (Tc) 57W (Tc) Through Hole TO-220AB |
Valua lähde jännite (Vdss): | 20V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 20V 67A TO-220AB |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 67A (Tc) |
Email: | [email protected] |