Ostaa IRF3707ZCSTRRP BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.25V @ 25µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | D2PAK |
Sarja: | HEXFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 9.5 mOhm @ 21A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 57W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Muut nimet: | IRF3707ZCSTRRP-ND IRF3707ZCSTRRPTR SP001576728 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | IRF3707ZCSTRRP |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1210pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 15nC @ 4.5V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 30V 59A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount D2PAK |
Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 59A (Tc) |
Email: | [email protected] |