Ostaa IRF3709STRL BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | D2PAK |
Sarja: | HEXFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 9 mOhm @ 15A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 3.1W (Ta), 120W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | IRF3709STRL |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2672pF @ 16V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 41nC @ 5V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 30V 90A (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount D2PAK |
Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 90A (Tc) |
Email: | [email protected] |