IRF3711PBF
IRF3711PBF
Osa numero:
IRF3711PBF
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15459 Pieces
Tietolomake:
IRF3711PBF.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IRF3711PBF, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRF3711PBF sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IRF3711PBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-220AB
Sarja:HEXFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:6 mOhm @ 15A, 10V
Tehonkulutus (Max):3.1W (Ta), 120W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-220-3
Muut nimet:*IRF3711PBF
SP001561720
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IRF3711PBF
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:2980pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:44nC @ 4.5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 20V 110A (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) Through Hole TO-220AB
Valua lähde jännite (Vdss):20V
Kuvaus:MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:110A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit