IRF3808SPBF
IRF3808SPBF
Osa numero:
IRF3808SPBF
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17253 Pieces
Tietolomake:
IRF3808SPBF.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IRF3808SPBF, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRF3808SPBF sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IRF3808SPBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:D2PAK
Sarja:HEXFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:7 mOhm @ 82A, 10V
Tehonkulutus (Max):200W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Muut nimet:*IRF3808SPBF
SP001570146
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IRF3808SPBF
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:5310pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:220nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 75V 106A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Valua lähde jännite (Vdss):75V
Kuvaus:MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:106A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit