Ostaa IRF5210STRR BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IRF5210STRR
- Osa numero:
- IRF5210STRR
- Kuvaus:
- MOSFET P-CH 100V 40A D2PAK
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 16788 Pieces
- Tietolomake:
- IRF5210STRR.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IRF5210STRR, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRF5210STRR sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | D2PAK |
| Sarja: | HEXFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 60 mOhm @ 24A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IRF5210STRR |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2700pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 180nC @ 10V |
| FET tyyppi: | P-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | P-Channel 100V 40A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 100V |
| Kuvaus: | MOSFET P-CH 100V 40A D2PAK |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 40A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IRF5210STRR
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF5210STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK | tiedustelu |
|
IRF5210SPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK | tiedustelu |
|
IRF5210STRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK | tiedustelu |
 |
IRF5210PBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 40A TO-220AB | tiedustelu |
 |
IRF5210L | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 40A TO-262 | tiedustelu |
|
IRF5210LPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 38A TO-262 | tiedustelu |
|
IRF520NL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262 | tiedustelu |
|
IRF520N | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB | tiedustelu |
|
IRF520NSTRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK | tiedustelu |
|
IRF520NS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog