IRF5210STRR
IRF5210STRR
Osa numero:
IRF5210STRR
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET P-CH 100V 40A D2PAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16788 Pieces
Tietolomake:
IRF5210STRR.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IRF5210STRR, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRF5210STRR sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IRF5210STRR BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:D2PAK
Sarja:HEXFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:60 mOhm @ 24A, 10V
Tehonkulutus (Max):3.8W (Ta), 200W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IRF5210STRR
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:2700pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:180nC @ 10V
FET tyyppi:P-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:P-Channel 100V 40A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Kuvaus:MOSFET P-CH 100V 40A D2PAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:40A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit