IRF540NLPBF
IRF540NLPBF
Osa numero:
IRF540NLPBF
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 33A TO-262
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18616 Pieces
Tietolomake:
IRF540NLPBF.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IRF540NLPBF, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRF540NLPBF sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IRF540NLPBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-262
Sarja:HEXFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:44 mOhm @ 16A, 10V
Tehonkulutus (Max):130W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Muut nimet:*IRF540NLPBF
SP001571292
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:14 Weeks
Valmistajan osanumero:IRF540NLPBF
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1960pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:71nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 100V 33A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-262
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Kuvaus:MOSFET N-CH 100V 33A TO-262
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:33A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit