Ostaa IRF5804TR BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | Micro6™(TSOP-6) |
Sarja: | HEXFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 198 mOhm @ 2.5A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 2W (Ta) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | IRF5804TR |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 680pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 21nC @ 10V |
FET tyyppi: | P-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | P-Channel 40V 2.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6) |
Valua lähde jännite (Vdss): | 40V |
Kuvaus: | MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 2.5A (Ta) |
Email: | [email protected] |