IRF6201PBF
IRF6201PBF
Osa numero:
IRF6201PBF
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 20V 27A 8-SO
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18114 Pieces
Tietolomake:
IRF6201PBF.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IRF6201PBF, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRF6201PBF sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IRF6201PBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:1.1V @ 100µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:8-SO
Sarja:HEXFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:2.45 mOhm @ 27A, 4.5V
Tehonkulutus (Max):2.5W (Ta)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Muut nimet:SP001570096
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IRF6201PBF
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:8555pF @ 16V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:195nC @ 4.5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 20V 27A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Valua lähde jännite (Vdss):20V
Kuvaus:MOSFET N-CH 20V 27A 8-SO
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:27A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit