Ostaa IRF630NSPBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IRF630NSPBF
- Osa numero:
- IRF630NSPBF
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18761 Pieces
- Tietolomake:
- IRF630NSPBF.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IRF630NSPBF, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRF630NSPBF sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | D2PAK |
| Sarja: | HEXFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 300 mOhm @ 5.4A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 82W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Muut nimet: | *IRF630NSPBF SP001574794 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IRF630NSPBF |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 575pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 35nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 200V 9.3A (Tc) 82W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 200V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 9.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IRF630NSPBF
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF630NPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB | tiedustelu |
 |
IRF630NSTRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK | tiedustelu |
|
IRF630NSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK | tiedustelu |
|
IRF630NS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK | tiedustelu |
 |
IRF9310PBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
IRF630NL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262 | tiedustelu |
|
IRF630NSTRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK | tiedustelu |
 |
IPA60R165CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 21A TO220-3 | tiedustelu |
 |
SI7156DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8 | tiedustelu |
 |
NTB30N20G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK | tiedustelu |
 |
SPD50N03S2L06T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A DPAK | tiedustelu |
|
IRF630NLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262 | tiedustelu |
|
64-2105PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 120A TO-262 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog