Ostaa IRF6619TRPBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.45V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | DIRECTFET™ MX |
Sarja: | HEXFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 2.2 mOhm @ 30A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | DirectFET™ Isometric MX |
Muut nimet: | IRF6619TRPBFTR SP001530090 |
Käyttölämpötila: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | IRF6619TRPBF |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 5040pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 57nC @ 4.5V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 20V 30A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX |
Valua lähde jännite (Vdss): | 20V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 30A (Ta), 150A (Tc) |
Email: | [email protected] |