IRF6644TR1
IRF6644TR1
Osa numero:
IRF6644TR1
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18541 Pieces
Tietolomake:
IRF6644TR1.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IRF6644TR1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRF6644TR1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IRF6644TR1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4.8V @ 150µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:DIRECTFET™ MN
Sarja:HEXFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:13 mOhm @ 10.3A, 10V
Tehonkulutus (Max):2.8W (Ta), 89W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:DirectFET™ Isometric MN
Muut nimet:SP001561926
Käyttölämpötila:-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):3 (168 Hours)
Valmistajan osanumero:IRF6644TR1
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:2210pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:47nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 100V 10.3A (Ta), 60A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Kuvaus:MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:10.3A (Ta), 60A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit