Ostaa IRF6644TR1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.8V @ 150µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | DIRECTFET™ MN |
Sarja: | HEXFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 13 mOhm @ 10.3A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | DirectFET™ Isometric MN |
Muut nimet: | SP001561926 |
Käyttölämpötila: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 3 (168 Hours) |
Valmistajan osanumero: | IRF6644TR1 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2210pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 47nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 100V 10.3A (Ta), 60A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN |
Valua lähde jännite (Vdss): | 100V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 10.3A (Ta), 60A (Tc) |
Email: | [email protected] |