IRF6662TRPBF
IRF6662TRPBF
Osa numero:
IRF6662TRPBF
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17799 Pieces
Tietolomake:
IRF6662TRPBF.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IRF6662TRPBF, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRF6662TRPBF sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IRF6662TRPBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4.9V @ 100µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:DIRECTFET™ MZ
Sarja:HEXFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:22 mOhm @ 8.2A, 10V
Tehonkulutus (Max):2.8W (Ta), 89W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:DirectFET™ Isometric MZ
Muut nimet:IRF6662TRPBFTR
SP001576850
Käyttölämpötila:-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:12 Weeks
Valmistajan osanumero:IRF6662TRPBF
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1360pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:31nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 100V 8.3A (Ta), 47A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Kuvaus:MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:8.3A (Ta), 47A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit