Ostaa IRF6726MTRPBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.35V @ 150µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | DIRECTFET™ MT |
Sarja: | HEXFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 1.7 mOhm @ 32A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | DirectFET™ Isometric MT |
Muut nimet: | IRF6726MTRPBF-ND IRF6726MTRPBFTR SP001528276 |
Käyttölämpötila: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 12 Weeks |
Valmistajan osanumero: | IRF6726MTRPBF |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 6140pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 77nC @ 4.5V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 30V 32A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 32A (Ta), 180A (Tc) |
Email: | [email protected] |