IRF6810STR1PBF
IRF6810STR1PBF
Osa numero:
IRF6810STR1PBF
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N CH 25V 16A S1
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14268 Pieces
Tietolomake:
IRF6810STR1PBF.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IRF6810STR1PBF, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRF6810STR1PBF sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IRF6810STR1PBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.1V @ 25µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:DIRECTFET S1
Sarja:HEXFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:5.2 mOhm @ 16A, 10V
Tehonkulutus (Max):2.1W (Ta), 20W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:DirectFET™ Isometric S1
Muut nimet:IRF6810STR1PBF-ND
SP001532352
Käyttölämpötila:-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IRF6810STR1PBF
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1038pF @ 13V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 4.5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 25V 16A (Ta), 50A (Tc) 2.1W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount DIRECTFET S1
Valua lähde jännite (Vdss):25V
Kuvaus:MOSFET N CH 25V 16A S1
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:16A (Ta), 50A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit