Ostaa IRF7807VTRPBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | 8-SO |
Sarja: | HEXFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 25 mOhm @ 7A, 4.5V |
Tehonkulutus (Max): | 2.5W (Ta) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Muut nimet: | IRF7807VPBFTR IRF7807VTRPBF-ND IRF7807VTRPBFTR-ND SP001566394 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 14 Weeks |
Valmistajan osanumero: | IRF7807VTRPBF |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 14nC @ 5V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 30V 8.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 8.3A (Ta) |
Email: | [email protected] |