IRF7807ZTRPBF
IRF7807ZTRPBF
Osa numero:
IRF7807ZTRPBF
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12230 Pieces
Tietolomake:
IRF7807ZTRPBF.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IRF7807ZTRPBF, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRF7807ZTRPBF sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IRF7807ZTRPBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.25V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:8-SO
Sarja:HEXFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:13.8 mOhm @ 11A, 10V
Tehonkulutus (Max):2.5W (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Muut nimet:IRF7807ZPBFTR
IRF7807ZTRPBF-ND
IRF7807ZTRPBFTR-ND
SP001570494
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:15 Weeks
Valmistajan osanumero:IRF7807ZTRPBF
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:770pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 4.5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:11A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit