Ostaa IRF7820TRPBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 100µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | 8-SO |
Sarja: | HEXFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 78 mOhm @ 2.2A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 2.5W (Ta) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Muut nimet: | IRF7820TRPBFTR SP001565562 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 15 Weeks |
Valmistajan osanumero: | IRF7820TRPBF |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1750pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 44nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 200V 3.7A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 200V |
Kuvaus: | MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 3.7A (Ta) |
Email: | [email protected] |