Ostaa IRF8113GTRPBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IRF8113GTRPBF
- Osa numero:
- IRF8113GTRPBF
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 17025 Pieces
- Tietolomake:
- IRF8113GTRPBF.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IRF8113GTRPBF, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRF8113GTRPBF sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | 8-SO |
| Sarja: | HEXFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 5.6 mOhm @ 17.2A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 2.5W (Ta) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Muut nimet: | IRF8113GTRPBFTR SP001575462 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IRF8113GTRPBF |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2910pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 36nC @ 4.5V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 30V 17.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 17.2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IRF8113GTRPBF
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF8113GPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO | tiedustelu |
|
IRF8113TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC | tiedustelu |
|
IRF8113 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC | tiedustelu |
|
IRF8113PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC | tiedustelu |
|
IRF8113TR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
AOWF12N50 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 500V 12A TO262F | tiedustelu |
 |
NTMSD2P102LR2 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
IRFR3412PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 48A DPAK | tiedustelu |
 |
STP9N65M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 5A TO-220AB | tiedustelu |
 |
SI4778DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 25V 8A 8-SOIC | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog