IRF9Z14STRR
IRF9Z14STRR
Osa numero:
IRF9Z14STRR
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12776 Pieces
Tietolomake:
IRF9Z14STRR.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IRF9Z14STRR, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRF9Z14STRR sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IRF9Z14STRR BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:D2PAK
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:500 mOhm @ 4A, 10V
Tehonkulutus (Max):3.7W (Ta), 43W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IRF9Z14STRR
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:270pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 10V
FET tyyppi:P-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:P-Channel 60V 6.7A (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount D2PAK
Valua lähde jännite (Vdss):60V
Kuvaus:MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:6.7A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit