IRF9Z30
IRF9Z30
Osa numero:
IRF9Z30
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET P-CH 50V 18A TO-220AB
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18974 Pieces
Tietolomake:
1.IRF9Z30.pdf2.IRF9Z30.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IRF9Z30, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRF9Z30 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IRF9Z30 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-220AB
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:140 mOhm @ 9.3A, 10V
Tehonkulutus (Max):74W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-220-3
Muut nimet:*IRF9Z30
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IRF9Z30
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:900pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:39nC @ 10V
FET tyyppi:P-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:P-Channel 50V 18A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
Valua lähde jännite (Vdss):50V
Kuvaus:MOSFET P-CH 50V 18A TO-220AB
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:18A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit