IRFBF20STRLPBF
IRFBF20STRLPBF
Osa numero:
IRFBF20STRLPBF
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15065 Pieces
Tietolomake:
IRFBF20STRLPBF.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IRFBF20STRLPBF, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRFBF20STRLPBF sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IRFBF20STRLPBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:D2PAK
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:8 Ohm @ 1A, 10V
Tehonkulutus (Max):3.1W (Ta), 54W (Tc)
Pakkaus:Original-Reel®
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Muut nimet:IRFBF20STRLPBFDKR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:11 Weeks
Valmistajan osanumero:IRFBF20STRLPBF
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:490pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:38nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 900V 1.7A (Tc) 3.1W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount D2PAK
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):900V
Kuvaus:MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:1.7A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit