Ostaa IRFD110PBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Sarja: | - |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 540 mOhm @ 600mA, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 1.3W (Ta) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Muut nimet: | *IRFD110PBF |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 10 Weeks |
Valmistajan osanumero: | IRFD110PBF |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 180pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 8.3nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 100V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 100V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 1A (Ta) |
Email: | [email protected] |