Ostaa IRFD9010 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IRFD9010
- Osa numero:
- IRFD9010
- Valmistaja:
- Vishay / Siliconix
- Kuvaus:
- MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 12482 Pieces
- Tietolomake:
- IRFD9010.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IRFD9010, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRFD9010 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 500 mOhm @ 580mA, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 1W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Muut nimet: | *IRFD9010 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IRFD9010 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 240pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 11nC @ 10V |
| FET tyyppi: | P-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | P-Channel 50V 1.1A (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 50V |
| Kuvaus: | MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 1.1A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IRFD9010
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFD9014PBF | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-DIP | tiedustelu |
|
IRFD9110 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-DIP | tiedustelu |
|
IRFD9120 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP | tiedustelu |
|
IRFD9010PBF | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP | tiedustelu |
|
IRFD9024 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP | tiedustelu |
|
IRFD9024PBF | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP | tiedustelu |
|
IRFD9210 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-DIP | tiedustelu |
|
IRFD9014 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-DIP | tiedustelu |
|
IRFD9110PBF | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-DIP | tiedustelu |
|
IRFD9020 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP | tiedustelu |
|
IRFD9020PBF | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP | tiedustelu |
|
IRFD9120PBF | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP | tiedustelu |
|
IRFD9113 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 600MA 4-DIP | tiedustelu |
|
IRFD9220PBF | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-DIP | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers