Ostaa IRFH3702TR2PBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IRFH3702TR2PBF
- Osa numero:
- IRFH3702TR2PBF
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 12686 Pieces
- Tietolomake:
- IRFH3702TR2PBF.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IRFH3702TR2PBF, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRFH3702TR2PBF sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.35V @ 25µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | 8-PQFN (3x3) |
| Sarja: | HEXFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 7.1 mOhm @ 16A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 2.8W (Ta) |
| Pakkaus: | Original-Reel® |
| Pakkaus / Case: | 8-PowerVDFN |
| Muut nimet: | IRFH3702TR2PBFDKR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IRFH3702TR2PBF |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1510pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 14nC @ 4.5V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 30V 16A (Ta), 42A (Tc) 2.8W (Ta) Surface Mount 8-PQFN (3x3) |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 16A (Ta), 42A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IRFH3702TR2PBF
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFH3702TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN | tiedustelu |
|
IRFH3707TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 12A PQFN56 | tiedustelu |
 |
DMP2069UFY4-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-DFN | tiedustelu |
 |
TPH6400ENH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 200V 21A 8-SOP | tiedustelu |
 |
STD120N4F6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 80A DPAK | tiedustelu |
 |
BTS244ZNKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5 | tiedustelu |
|
IRFH3707TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 12A PQFN33 | tiedustelu |
 |
FQB11N40TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 11.4A D2PAK | tiedustelu |
 |
IXTU50N085T | IXYS | MOSFET N-CH 85V 50A TO-251 | tiedustelu |
|
HUFA75333S3S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 55V 66A D2PAK | tiedustelu |
 |
STB31N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK | tiedustelu |
 |
IRL2505S | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK | tiedustelu |
 |
IPS075N03LGBKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO251-3 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers