Ostaa IRFH4209DTRPBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.1V @ 100µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | PQFN (5x6) |
Sarja: | FASTIRFET™, HEXFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 1.1 mOhm @ 50A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 3.5W (Ta), 125W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | 8-PowerTDFN |
Muut nimet: | SP001554690 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | IRFH4209DTRPBF |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 4620pF @ 13V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 74nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 25V 44A (Ta), 260A (Tc) 3.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) |
Valua lähde jännite (Vdss): | 25V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 44A (Ta), 260A (Tc) |
Email: | [email protected] |