Ostaa IRFH5210TR2PBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 100µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | PQFN (5x6) |
Sarja: | HEXFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 14.9 mOhm @ 33A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 3.6W (Ta), 104W (Tc) |
Pakkaus: | Original-Reel® |
Pakkaus / Case: | 8-PowerVDFN |
Muut nimet: | IRFH5210TR2PBFDKR |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | IRFH5210TR2PBF |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2570pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 59nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 100V 10A (Ta), 55A (Tc) 3.6W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) |
Valua lähde jännite (Vdss): | 100V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 100V 10A 5X6 PQFN |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 10A (Ta), 55A (Tc) |
Email: | [email protected] |