IRFH5301TRPBF
IRFH5301TRPBF
Osa numero:
IRFH5301TRPBF
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18610 Pieces
Tietolomake:
IRFH5301TRPBF.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IRFH5301TRPBF, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRFH5301TRPBF sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IRFH5301TRPBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.35V @ 100µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PQFN (5x6) Single Die
Sarja:HEXFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:1.85 mOhm @ 50A, 10V
Tehonkulutus (Max):3.6W (Ta), 110W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-PowerVDFN
Muut nimet:IRFH5301TRPBF-ND
IRFH5301TRPBFTR
SP001556462
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:16 Weeks
Valmistajan osanumero:IRFH5301TRPBF
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:5114pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:77nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 35A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) Single Die
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:35A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit